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DRAM现货市场买气热络合约价呈上涨格局

发布时间:2020-06-30 19:18:06 阅读: 来源:直通厂家

根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示,继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%,受到现货价格的激励,12月上旬的模组价格亦同步呈现上扬走势,4GB均价回到US$15.5水位,小涨1.64%;2GB模组均价同样受惠,回到US$8.9水位,涨幅同样有1.71%。观察此波上涨趋势,虽然幅度仍小,但在需求端持续低迷的情况下还能够止住跌势,足以显示PCOEM端在历经漫长的库存调节之后总算回到相对健康的水位,买货意愿亦逐步提高。在供给端方面,目前正是各家DRAM厂执行制程转进的时间点,两家韩系厂由原先供货的3X奈米逐步转往生产难度更高的2X奈米制程,美系厂美光亦逐步拉高3X奈米的生产数量,现在正处于新旧制程世代交替的衔接点,现货市场还能看到某些品项颗粒供货吃紧,带动价格往上攀升。

本文引用地址:今年以来受到DRAM持续供过于求的影响,现货市场2Gb颗粒单价普遍呈现跌势,甚至在10月下旬最低点来到US$0.817美元,直到12月开始起涨,至今与最低点相较已经呈现超过15%的涨幅。对合约市场而言,现货价格仍具领先指针,再加上9月份各厂的减产效应陆续发酵,同时将生产的重心移向行动式内存,TrendForce预估减产持续进行前提下,供需间的产量将逐步趋近平衡,标准型内存持续了半年以上的跌势可望暂时休止。

2013年DRAM产业资本支出大减两成,制程转进速度放缓趋势确立

由于DRAM产业连年供过于求使得此产业已经成为”烧钱事业”代名词,近期厂商扩大产能与制程微缩,虽然可进一步降低成本,但由于竞争仍然激烈,厂商能够获利的机会有限,每年巨额的资本支出就像是双面刃,一方面若是缩减投资金额恐造成成本竞争力的不足,但若是过度投资,除了现金流的压力以外,亦极有可能导致市场的供给过剩,造成先前投资无法回收。2012年由于需求面受到个人计算机出货持续萎缩的影响,大部分DRAM厂都面临财务亏损窘境,除了调整产品组合以外,竞争力较低的厂商为了保存手头上仅有的营运现金,多以逐步减产来做为因应之道。

对于2013年的资本支出计划,再度缩减投资金额已获得业界共识。以产业龙头三星半导体为例,由于垂直整合策略产生良好综效,成为今年度唯一获利的DRAM厂商,为了要对市况做出最好的反应,过去三星总是在其他厂商缩手投资金额时逆向大增资本支出,今年却一反常态,除了进一步将PCDRAM生产转向MobileDRAM之外,同时也宣布将大幅缩减明年的资本支出,预估与今年相较减幅达48%,总金额仅有1.1亿美元为历年来最低。

其他DRAM厂亦在明年纷纷下修资本支出,根据TrendForce的调查,2013年整体DRAM产业的资本支出与2012年相较再度呈现21%的减幅,此举将影响制程转进的进度,3X奈米制程仍是2013年的主流,相较于过往一年可见2个世代制程的交替已不复见,制程转进速度趋缓已是产业心照不宣的共识。由于DRAM产业的获利模式受到需求端剧烈变化而产生结构性的改变,唯有供给端提出更有弹性的调整策略来因应,否则将很快面临淘汰的命运。

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